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Lattice iCE40LP640-SWG16TR FPGA現場可編程門陣列

2025-05-09 09:02:38

Lattice 的iCE40 LP/HX系列是超低功耗、非易失性FPGA，采用40nm工藝，待機功耗僅21微安，適用于消費電子和物聯網設備。該系列提供384至7680個LUT4和10至206個I/O，支持128Kbits嵌入式存儲器、DDR接口、RGB LED驅動及多種I/O標準（如LVCMOS/LVDS25E），并集成8個全局時鐘資源和2個PLL。其配置方式靈活（SPI/NVCM），封裝最小達1.4x1.48mm（WLCSP），適用于智能手機、可穿戴設備等空間與功耗敏感場景，兼具高性能和小尺寸優勢。

NXP S32K39/37/36微控制器：電動汽車電氣化應用

2025-05-09 08:59:47

NXP的S32K39/37/36系列是專為電動汽車設計的微控制器，具備高性能計算（支持多電機控制及AI算法）、ASIL D安全認證、豐富外設（如TSN以太網、多通道ADC/CAN）和寬溫工作特性（-40°C至125°C），適用于電驅系統、BMS及區域架構，提供兩種緊湊封裝（289 MAPBGA/176 LQFP），集成閃存達6MB并支持硬件級功能安全。

Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應晶體管

2025-05-08 09:04:36

Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續漏極電流達3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關延遲15-45ns，適用于高頻開關場景。該器件特別適合電源管理、電機驅動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統，兼具高效能和快速響應特性。

Broadcom BCM56224企業級以太網交換芯片

2025-05-08 08:59:19

Broadcom的BCM56224是一款28端口高性能以太網交換芯片，適用于企業及SME網絡，支持獨立/堆疊配置。核心配置包括24個10/100/1000Mbps端口和4個2.5Gbps上行端口，集成32位MIPS處理器，支持線速L2/L3交換、IPv6及硬件級DoS防護。具備8級CoS隊列優化流量，通過HiGig?技術實現CAT-7電纜堆疊，單芯片集成CPU降低系統成本。典型應用于企業千兆接入、刀片服務器及數據中心接入層，優勢在于高集成度（減少外部組件）、硬件級安全、靈活堆疊擴展及IPv6未來兼容性。

Ampleon射頻功率放大器在5G中的獨特優勢

2025-05-07 09:12:45

Ampleon的射頻功率放大器通過LDMOS/GaN技術（如GaN高頻高功率特性）實現5G關鍵性能，漏極效率達62%，兼具寬帶操作與高線性度，顯著提升信號質量；設計上采用緊湊封裝與全集成Doherty方案，優化空間與能效；應用覆蓋700MHz-5.0GHz，支持宏基站、小基站及大規模MIMO，輸出功率16W擴大覆蓋，且引腳兼容性降低開發成本，全面滿足5G對高性能、高集成與多場景的需求。

JANTX1N981B-1軍用級齊納二極管Microsemi

2025-05-06 09:37:20

JANTX1N981B-1是一款軍用級齊納二極管，齊納電壓68V（±2%精度），最大功耗0.5W，采用DO-35玻璃封裝，具有低動態阻抗（185Ω/105Ω）和良好溫度穩定性（±0.097%/°C），適用于軍事/航空航天領域的電壓調節、參考電壓源及過壓保護等高可靠性場景。

Vishay 594D226X9020C2T鉭固態電容器

2025-04-29 09:01:23

Vishay 的 594D226X9020C2T 鉭固態電容器是一款高性能小型化元件，具有22μF電容值、20V耐壓和125°C耐溫能力，容差±10%，尺寸僅7.1×3.2×2.5mm。其特性包括寬溫工作范圍（-55°C至+125°C）、低ESR（30-3500mΩ）和濕度敏感度2a級，適用于工業、汽車及航空航天等高可靠性表面貼裝場景，電容覆蓋1μF-1500μF，電壓支持4-50V。同系列提供多種容差和電壓選項。

Q-Tech QT4207SNM-60.000MHz超小型恒溫晶振OCXO

2025-04-24 09:06:37

QT4200系列是一款專為空間應用設計的超小型恒溫晶體振蕩器（OCXO），尺寸50.8×43.18×19.05mm，重量100克，支持1MHz-125MHz頻率輸出，具有±200PPB溫度穩定性（-40°C至+75°C），抗輻射能力達100kRad，相位噪聲低至-160dBc/Hz（10kHz偏移），提供正弦波/HCMOS輸出（0dBm至+9dBm），適用于衛星、航天器及高精度測量系統。

Marvell DX1508,DX1518,DX1528,DX1538,DX1548工業物聯網(IIoT)以太網交換機

2025-04-22 09:21:31

Marvell? Prestera? DX1500系列是一款專為工業物聯網(IIoT)設計的低功耗智能多層以太網交換機，通過全面支持時敏網絡(TSN)協議、高精度時序同步及HSR/PRP冗余標準，實現IT與OT融合的實時通信。該系列提供5種型號（如12端口的DX1508至10G速率的DX1548），具備流量整形、幀搶占、安全加密（MACsec）、工業級寬溫（-40°C至+85°C）等特性，并集成Arm Cortex CPU和智能遙測功能，適用于嚴苛工業環境下的高可靠、低延遲數據傳輸與邊緣計算需求。

Statek CX16VSCSM1-32.768K,100/I,9pF表面貼裝石英晶體32kHz-180kHz

2025-04-21 09:39:30

Statek CX16V是一款高精度調諧叉晶體，頻率32kHz-180kHz，采用微型陶瓷封裝，具有低功耗（≤0.5μW）、高穩定性（老化率≤2ppm/年）和強抗振性（可承受5000g沖擊）。適用于醫療植入設備、航空航天等高可靠性領域，工作溫度范圍達-55°C至+125°C。

DEI1049八通道ARINC 429差分接收器

2025-04-21 09:33:02

DEI1049是一款專為ARINC 429總線設計的8通道差分接收器，具有高抗干擾性和故障保護能力，支持5V或3.3V供電，輸入共模電壓±20V，內置2V遲滯抑制噪聲，耐受115V交流短路并符合DO-160 Level 3雷電防護標準。其電氣參數包括邏輯輸入電平±6.5V至±13V，TTL/CMOS兼容輸出，工作溫度-55°C至+125°C，適用于航空電子、工業高噪聲環境和測試設備。

iNRCORE 1000B-5006,1000B-5006X變壓器模塊

2025-04-18 09:24:55

iNRCORE的1000B-5006和1000B-5006X是專為千兆以太網（1000BASE-T）設計的高性能變壓器模塊，符合IEEE 802.3標準，具有低插入損耗、高共模抑制比和堅固的環氧樹脂封裝（耐235°C高溫）。標準版工作溫度-40°C至+85°C，擴展版（1000B-5006X）支持-55°C至+125°C，絕緣耐壓達1500Vrms，尺寸緊湊（0.53"×0.61"×0.039"），適用于交換機、路由器、工業通信及數據中心等嚴苛網絡環境。

Ampleon CLF3H0035-100寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管 現貨

2025-04-17 09:31:20

Ampleon的CLF3H0035-100和CLF3H0035S-100是兩款100W寬帶射頻功率GaN HEMT晶體管，工作頻率覆蓋DC至3.5GHz，適用于通信、雷達等高功率射頻應用。這兩款器件在100W輸出時漏極效率達57%，采用熱增強封裝確保散熱性能，具有高可靠性、堅固性和寬帶特性，同時符合RoHS環保標準，適合連續波和脈沖工作模式。

Princeton Microwave PmT-F-1000 KA波段帶阻濾波器

2025-04-16 09:07:49

Princeton Microwave PmT-F-1000 是一款高性能 KA 波段雙通帶濾波器，工作頻率覆蓋 10-24 GHz（低頻通帶）和 31-48 GHz（高頻通帶），并在 26.2-27 GHz 頻段提供 70 dB 的強抑制能力。該濾波器具有低插入損耗（1-2 dB）、高功率處理能力（10W）、緊湊尺寸（1.5×0.75×0.4 英寸），采用密封設計和 K 型連接器，適用于嚴苛環境（-50°C 至 100°C），并符合 RoHS 標準。

Linear Systems ID100和ID101單片雙二極管

2025-04-15 09:14:57

Linear Systems ID100 和 ID101 單片雙二極管是 Intersil 同型號的兼容替代品，具有 低反向漏電流（1V 時 0.1pA）、高反向擊穿電壓（≥30V）、低反向電容（0.75pF @10V/1MHz）和 高可靠性（TO-78/TO-71 封裝）。適用于 運算放大器保護（限制差分/共模電壓）和 采樣保持電路（減少偏移電壓），工作溫度范圍 -55°C 至 +150°C，最大功耗 300mW，反向電壓 30V，提供 RoHS 合規封裝選項。

Ampleon BLA6H0912-500 LDMOS航空電子雷達功率晶體管

2025-04-14 09:26:23

Ampleon 的 BLA6H0912-500 LDMOS 功率晶體管專為航空電子發射機設計，適用于 960 MHz 至 1215 MHz 頻段的 Mode-S、TCAS、JTIDS、DME 和 TACAN 等系統。該器件具有 高功率控制靈活性、集成 ESD 保護、脈沖格式兼容性、高耐用性、高效率及優秀的熱穩定性，并支持寬帶操作和內部匹配，簡化設計流程。同時，它符合 RoHS（2002/95/EC） 環保標準，適用于航空電子雷達等嚴苛環境。

NXP恩智浦LX2160A,LX2120A,LX2080A多核處理器

2025-04-11 09:04:14

LX2160A是NXP公司Layerscape系列旗艦級多核處理器，基于16核Arm? Cortex?-A72架構（2.2GHz），采用FinFET工藝實現高性能與低功耗平衡。其核心優勢包括：18MB高速緩存、24個25GHz SerDes通道、16個多速率以太網端口（1-100Gb/s）、114Gbps二層交換能力、24條PCIe Gen3通道，以及50Gbps安全加速和100Gbps數據壓縮引擎，專為5G數據包處理、NFV、智能網卡及工業計算等高負載場景設計。

Vishay VJ0402D1R2BXCAJ高頻應用表面貼裝多層陶瓷電容器

2025-04-10 08:55:53

Vishay的VJ0402D1R2BXCAJ是一款高性能多層陶瓷電容器（MLCC），電容值為1.2pF，尺寸為1.02mm×0.51mm×0.61mm，支持200VDC耐壓和200°C高溫工作，采用卷帶包裝便于運輸和安裝。其C0G介質特性（±30ppm/°C溫漂、0.05%損耗因數）和0%老化率使其適用于高頻嚴苛場景，如射頻設備、基站、醫療儀器及軍事通信。

Solitron Devices SD11461 N通道功率MOSFET

2025-04-09 09:17:48

SD11461 是 Solitron Devices 生產的一款高性能 N 通道功率 MOSFET，具有 100V 漏源電壓和 35A 連續漏極電流，導通電阻低至 25mΩ，采用 TO-258/TO-254 封裝，支持快速開關（如 15ns 開啟延遲）和高功率耗散（147W）。其工作溫度范圍廣（-55°C 至 +150°C），適用于電源管理（如 DC-DC 轉換器）、電機驅動及高頻應用，電氣特性包括 2.0-4.0V 閾值電壓、87nC 柵極電荷，并集成高效源極二極管（1-1.5V 正向電壓）。封裝設計兼顧散熱與緊湊性，滿足工業和惡劣環境需求。

Q-Tech QT380,QT381,QT382...QT386,QT387高溫低功耗時鐘振蕩器

2025-04-02 08:59:09

Q-Tech QT381/QT386系列是32.768kHz高精度時鐘模塊，采用AT切石英晶體，支持2.5V/3.3V供電，具有±150~250ppm精度、70~120μA超低功耗和-55°C~+185°C寬溫工作范圍，適用于石油、航天等嚴苛環境。采用5x7mm微型封裝，10ms快速啟動，待機電流僅20μA。