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內(nèi)核：6個(gè)32位e200 Power? Architecture

內(nèi)存：2MB SRAM

封裝：FC-PBGA

· 8個(gè)64位ARM Cortex-A72 CPU

· 兩個(gè)64位DDR4 SDRAM內(nèi)存控制器

· 8個(gè)10 GbE和8個(gè)1 GbE

· 接口類(lèi)型：XAUI/XFI/KR和SGMII

內(nèi)核：高性能132 MHz 32位e200z6內(nèi)核

內(nèi)存：2MB嵌入式閃存，帶ECC；64KB片上靜態(tài)RAM，帶ECC。

I/O通道：32個(gè)I/O通道

封裝選項(xiàng)：416引腳PBGA和324引腳PBGA封裝

溫度范圍：-40-125oC

內(nèi)核：兩個(gè)獨(dú)立的e200z7核心，運(yùn)行速度高達(dá)300 MHz。

封裝：416引腳PBGA封裝和512引腳PBGA封裝。

速度：最高1.3 GHz

功耗：1 GHz時(shí)低于10W

架構(gòu)：32位RISC，含128位AltiVec?技術(shù)

封裝：360引腳CBGA

內(nèi)核：454MHz Arm926EJ-S

內(nèi)存：128 KBytes SRAM，支持多種外部存儲(chǔ)器如 DDR、DDR2 和 NAND Flash

封裝：289 BGA 14x14mm .8mm

中央處理器：兩個(gè) Arm? Cortex-A35? @ 800 MHz,Arm Cortex-M33 @ 216  MHz

封裝：FCCSP 9.4 X 9.4 mm2,MAPBGA 15 x 15 mm2

處理器：雙Arm? Cortex?-A55

CPU：Cortex?-M33 

封裝：14mm x 14mm，0.65mm 間距 FCCSP

接口：DDR、MIPI、LVDS