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IRHNS597Z60是抗輻射單通道P溝道MOSFET，-30V，56A，特點為單粒子效應強化、低RDS(on)、質子耐受、簡單驅動、密封陶瓷封裝、輕巧，適用于DC-DC轉換器、電機驅動、配電電路、負載開關、電池充電。具ESD等級3A，TID級別100krad或300krad，符合MIL-STD-750標準，JANS篩選級別。

Part Number	Radiation Level	RDS(on)	l_D	QPL Part Number
IRHNS597Z60	100 kRads(Si)	0.0132	-56A*	JANSR2N7523U2A
IRHNS593Z60	300 kRads(Si)	0.0132	-56A*	JANSF2N7523U2A

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IRHNS597Z60單P溝道MOSFET

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