人人操人人操人人妻人人操97,深夜放纵内射少妇,免费看国产黄线在线观看

Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET

發布時間：2025-05-29 09:00:32 瀏覽：937

　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引腳封裝，低導通電阻(RDS(on))和低柵極電荷(QG)，具有雪崩能力，氣密封裝，適用于高可靠性應用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET

　　主要參數

　　漏源電壓(VDS)：1200V

　　連續漏極電流(ID)：25°C時為17A

　　導通電阻(RDS(on))：25°C時為160mΩ

　　柵極閾值電壓(VGS(th))：1.8V~3.6V

　　最大功耗(PD)：97W

　　工作溫度(TJ)：-55°C~+175°C

　　體二極管特性

　　正向電壓(VSD)：4.25V

　　反向恢復時間(trr)：34ns

　　反向恢復電荷(Qrr)：197nC

　　應用領域

　　開關電源

　　DC-DC轉換器

　　PFC電路

　　電機驅動

　　機器人控制

更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。

上一篇: DATEL ADC-HZ12BGC傳統模數轉換器

下一篇: GAMMA LXR30系列高壓電源1-50KV

欧美狂野乱码一二三四区丨成人一区二区三区视频在线观看丨久草日b视频一二三区丨狼友视频 国产精品丨av综合久久久久久久久久