Solitron碳化硅電源模塊
發(fā)布時間:2024-10-28 08:58:35 瀏覽:1292
Solitron公司生產(chǎn)的一系列基于硅碳化物(SiC)半導體的功率模塊。這些模塊設計用于提高電源應用的系統(tǒng)效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作溫度范圍。
關鍵特性:
1. 零正向和反向恢復:意味著這些模塊在開關時損耗非常低。
2. 溫度獨立開關行為:模塊的性能不會隨著溫度變化而變化。
3. 非常低的雜散電感:這對于SiC MOSFETs的全速開關至關重要。
4. ALN基板:用于提高硅碳化物MOSFETs的熱導率,從而實現(xiàn)更好的系統(tǒng)熱性能、更低的開關損耗和更高的可靠性。
5. 內(nèi)部熱敏電阻:用于溫度監(jiān)測。
產(chǎn)品系列:
半橋模塊:這些模塊具有非常低的雜散電感,適合高速開關。
全橋模塊:提供高密度的功率轉(zhuǎn)換解決方案。
PowerMOD系列:應用特定功率模塊,用戶可以選擇不同的電路配置和封裝選項,以最佳地適應特定應用。
應用領域:
開關模式電源
逆變器
電池充電器
執(zhí)行器和電機控制應用
產(chǎn)品規(guī)格:
Device Type | Type Number | Volltage | Continuous Current | Rsm | Temperature Range | Recovery Diodes | Package |
Half Bridge | SD11487 | 1200V | 95A | 12mQ | -55℃to 175℃ | Yes | 6x6 |
Half Bridge | SD11902 | 1200V | 50A | 32mg | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6B |
Half Bridge | SD11903 | 1200V | 50A | 32mg | -55℃to 175℃ | No | 3x6A |
Half Bridge | SD11904 | 1200V | 50A | 32mo | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6A |
Half Bridge | SD11905 | 1200V | 50A | 32mg | -55℃to 175℃ | No | 3x6B |
Half Bridge | SD11906 | 1200V | 105A | 13mo | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6B |
HalfBridge | SD11956 | 1200V | 105A | 13mg | -55℃to 175℃ | No | 3x6B |
Half Bridge | SD11907 | 1200V | 105A | 13mo | -55℃to175℃ | Yes | 3x6B |
Half Bridge | SD11957 | 1200V | 105A | 13mQ | -55℃to 175℃ | No | 3x6B |
Half Bridge | SD11908 | 650V | 50A | 7mo | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6B |
HalfBridge | SD11910 | 1200V | 50A | 8mg | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6B |
Dual MOSFET | SD11911* | 1200V | 50A | 8.6mQ | -55℃to 175℃ | Yes | 4x6 |
Dual MOSFET | SD11912* | 1200V | 105A | 13mo | -55℃to 175℃ | Yes | 4x6 |
Full Bridge | SD11915* | 1200V | 40A | 32mo | -55℃to 175℃ | Yes | 4x10 |
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QTCH系列SMD晶體振蕩器專為高溫環(huán)境設計,支持1.8Vdc至5.0Vdc的寬泛供電電壓,低功耗小于3mA,工作溫度范圍從-55oC到+200oC。提供2.5x3.2mm、3.2x5.0mm和5.0x7.0mm三種封裝尺寸,高頻率穩(wěn)定性和RoHS合規(guī),符合MIL-PRF-55310軍事級篩選測試,適用于鉆探、石油服務和高溫應用。
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