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Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET

發布時間：2024-08-05 09:13:13 瀏覽：602

Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET

　　Linear Systems 3N165和3N166是單片雙P通道增強型MOSFET，具有以下特點和應用優勢：

　　主要特點

　　高輸入阻抗：這使得它們非常適合需要高阻抗輸入的應用，減少了對前級電路的影響。

　　高柵極擊穿電壓：允許在更高的電壓下工作，增強了器件的可靠性和適用范圍。

　　超低泄漏電流：在關閉狀態下幾乎不消耗電流，這對于低功耗和精密測量應用至關重要。

　　低電容：有助于減少信號延遲和失真，提高信號處理的精確度。

　　應用場景

　　模擬信號處理：由于其高輸入阻抗和低泄漏特性，非常適合用于放大器、濾波器和其他模擬信號處理電路。

　　精密測量儀器：在需要高精度測量和低噪聲的環境中，這些MOSFET可以提供穩定和可靠的性能。

　　高電壓操作：在需要處理高電壓信號的應用中，如電源管理和電壓轉換器，這些器件可以安全可靠地工作。

　　封裝和引腳配置

　　SOIC封裝：適合表面貼裝技術，便于自動化生產。

　　- 引腳配置：NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC

　　TO-99封裝：傳統的通孔封裝，適用于需要更高散熱能力的應用。

　　- 引腳配置：Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC

規格參數：

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted)
SYMBOL	CHARACTERISTIC	3N165 & 3N166		LS3N165 & LS3N166		UNITS	CONDITIONS
SYMBOL	CHARACTERISTIC	MIN	MAX	MIN	MAX	UNITS	CONDITIONS
IGs5R	Gate Reverse Leakage Current		10		100	pA	VGs=40V
lcssF	Gate Forward Leakage Current		-10		100		Vgs=-40V
lcssF	Gate Forward Leakage Current		25				TA=+125℃
pss	Drain to Source Leakage Current		200		200		Vos=-20V,Vgs=Ves=0V
IsDs	Source to Drain Leakage Current		400		400		Vso=-20V,VGp=VDB=0V
D(on)	On Drain Current	-5	30	-5	-30	mA	Vos=-15V VGs=-10V Vss=0V
Vosoh	Gate Source Threshold Voltage	-2	-5	-2	-5	V	Vos=-15V lo=-10μA Vsg=0V
VGsm	Gate Source Threshold Voltage	-2	-5	-2	-5	V	Vos=Vgs lo=-10μA Vsa=0V
Ds(on	Drain Source ON Resistance		300		300	ohms	Vgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V
gis	ForwardTransconductance	1500	3000	1500	3000	μS	Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz Vse=0V
gos	Output Admittance		300		300	μS	Vos=-15V lo=-10mA f=1kHz Vse=0V
Cs	Input Capacitance		3.0		3.0	pF	Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz (NOTE 3)Vsa=0V
Css	Reverse Transfer Capacitance		0.7		1.0
Coss	Output Capacitance		3.0		3.0
RE(Ys)	Common Source Forward Transconductance	1200				μS	Vos=-15V lo=-10mA f=100MHz (NOTE 3)Vsa=0V

　　Linear Systems 3N165和3N166單片雙P通道MOSFET因其高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、超低泄漏電流和低電容特性，在模擬信號處理和精密測量領域中表現出色。無論是SOIC還是TO-99封裝，都提供了靈活的選擇，以適應不同的設計和生產需求。

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