欧美狂野乱码一二三四区丨成人一区二区三区视频在线观看丨久草日b视频一二三区丨狼友视频 国产精品丨av综合久久久久久久久久

Infineon英飛凌IPC100N04S5-1R2汽車級MOSFET

發布時間:2024-07-17 08:55:42     瀏覽:2082

  英飛凌(Infineon)的IPC100N04S5-1R2是一款專為汽車應用設計的N溝道增強型MOSFET,隸屬于OptiMOS? 5系列。該器件通過了AEC-Q101認證,確保其在汽車環境中的可靠性和穩定性。其主要特點包括極低的導通電阻(RDS(on))僅為1.2 mΩ,以及高達100 A的連續漏極電流(ID),使其非常適合高效率和高性能的汽車系統設計。

圖片8.png

  主要特點:

  N溝道增強型模式:適用于正常電平操作。

  AEC-Q101認證:確保汽車級質量標準。

  低導通電阻:1.2 mΩ,有助于降低功耗和提高效率。

  高連續漏極電流:100 A,支持高負載應用。

  MSL1等級:適用于260°C的回流焊接。

  寬工作溫度范圍:-55°C到+175°C,適應極端環境。

  環保:符合RoHS標準。

  100%壓敏測試:確保產品質量。

  產品概要:

  漏源電壓(VDS):40 V

  最大導通電阻(RDS(on),max):1.2 mΩ

  連續漏極電流(ID):100 A

  封裝類型:

  封裝:PG-TDSON-8-34

  標識符:5N041R2

  最大額定值:

  持續漏極電流:100 A (在TC=25°C, VGS=10V時)

  脈沖漏極電流:400 A

  單次脈沖雪崩能量:480 mJ (在ID=50A時)

  漏源電壓:40 V

  柵源電壓:±20 V

  功耗:150 W (在TC=25℃時)

  工作及貯藏溫度:-55°C到+175°C

深圳市立維創展科技有限公司,優勢分銷Infineon英飛凌部分產品線,快速交付,歡迎聯系。

推薦資訊

  • RT/duroid? 6202PR層壓板Rogers
    RT/duroid? 6202PR層壓板Rogers 2023-06-08 17:02:43

    Rogers? RT/duroid?6202PR高頻電路板材是低損耗、低介電常數層壓板,適合于平行面電阻器技術應用。

  • IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管
    IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

    ?IR-HiRel?氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比,GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容,非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率,降低了系統的整體成本,而且允許更高的工作頻率,提高了功率密度和系統的整體效率。

在線留言

在線留言

主站蜘蛛池模板: 丘北县| 昌都县| 瑞安市| 邵武市| 疏附县| 德庆县| 遂川县| 玛曲县| 微山县| 汉沽区| 革吉县| 拜城县| 昭苏县| 奉贤区| 福泉市| 高雄县| 任丘市| 漾濞| 兴义市| 松江区| 宁陕县| 连江县| 汾西县| 珠海市| 上杭县| 南宫市| 通许县| 蒙阴县| 崇信县| 南郑县| 富民县| 保定市| 拉孜县| 洛浦县| 东乡族自治县| 兴化市| 岚皋县| 读书| 凉城县| 金山区| 邓州市|