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  Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

  3N190/3N191系列是雙P溝道增強型MOSFET，適用于非隔離POL電源和低壓驅動器應用。它們具有高開關頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容，適合高速負載切換和模擬信號放大。與BJT相比，這些MOSFET在處理大電流時產生的熱量更少，有助于提高能效。它們適用于交換應用、放大電路、斬波電路等多種場合，并可作為Intersil產品的替代品。

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  ADI 晶圓半導體的優勢 2020-12-25 16:53:12

  晶圓是制造半導體器件的基本原料。經過60多年的技術演進和產業發展，晶圓材料已經形成了以硅為主體、半導體新材料為補充的產業格局。高純度半導體是通過拉伸和切片的方法制成晶圓的。晶圓經過一系列半導體制造工藝形成微小的電路結構，再經過切割、封裝、測試等工序制成芯片，廣泛應用于各種電子設備中。