英飛凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET PDP開關
發布時間:2024-04-01 10:15:36 瀏覽:2423
Infineon英飛凌IRFS4227TRLPBF功率MOSFET,一款專為等離子顯示面板(PDP)中的持續工作、能量回收及開關應用量身打造的卓越器件。它采納了最新的處理技術,實現了每硅面積的超低導通電阻和低脈沖額定值,從而有效降低了功率損耗,提升了系統效率。
這款MOSFET的設計充分考慮了PDP應用的特殊性,其關鍵參數經過精心優化,以滿足PDP維持、能量回收及開關應用中的高性能需求。同時,它具備低脈沖額定值,能夠顯著減少在PDP運行過程中的功率耗散,實現更為節能的運行模式。

IRFS4227TRLPBF功率MOSFET的另一大亮點是其出色的熱性能。它擁有高達175°C的工作結溫,使得在高溫環境下仍能保持穩定的工作狀態,提升了器件的堅固性。此外,高重復峰值電流能力保證了器件在高負載條件下仍能可靠運行,進一步增強了其穩定性和可靠性。
在響應速度方面,這款MOSFET同樣表現出色。它具備低QG和快速響應的特性,使得開關動作更為迅速,有效提升了系統的整體性能。同時,短下降和上升時間也確保了快速切換的實現,進一步提高了系統的動態響應能力。
特性:
先進工藝技術
關鍵參數優化PDP維持,能量回收和通過開關應用
低脈沖額定值,以減少功率耗散的PDP維持,能量回收和通過開關應用
低QG,快速響應
高重復峰值電流能力,可靠運行
短下降和上升時間快速切換
175°C工作結溫,提高堅固性
魯棒性和可靠性的重復雪崩能力
規格參數:
| Parametrics | IRFS4227 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.57 |
| ID (@25°C) max | 62 A |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -40 °C 175 °C |
| Ptot max | 330 W |
| Package | D2PAK (TO-263) |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 70 nC |
| Qgd | 23 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 26 m? |
| RthJC max | 0.45 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 200 V |
| VGS(th) min max | 4 V 3 V 5 V |
| VGS max | 30 V |
總的來說,IRFS4227TRLPBF功率MOSFET憑借其卓越的性能和穩定性,成為了PDP驅動應用中的高效、穩健和可靠的器件。無論是在持續工作、能量回收還是開關應用中,它都能發揮出優異的表現,為PDP系統的穩定運行提供有力保障。
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