Solitron Devices SD11740超低導通電阻碳化硅MOSFET
發布時間:2024-02-05 12:06:18 瀏覽:825
Solitron Devices 推出的SD11740是1200V 碳化硅 (SiC)、低 RDS(on) MOSFET。
作為對高可靠性/軍事應用的高壓MOSFET的強大供應的補充,Solitron正在擴大其碳化硅產品供應,以滿足要求苛刻的商業和工業應用。該SD11740采用 SOT-227 封裝,提供 8.6mΩ 的超低 RDS(on)。
SOT-227 型封裝的加入使 Solitron 的 SiC 產品能夠在電動汽車、功率控制器、電機驅動、感應加熱、固態斷路器和高壓電源中實現更高功率的應用。該SD11740提供 120A 的連續漏極電流。SOT-227 與銅散熱器基座具有 3kV 隔離功能,可實現出色的低熱阻。該器件提供真正的開爾文柵極連接,以實現最佳柵極控制。任一發射極端子均可用作主發射器或開爾文發射器。
該SD11740設計用作功率半導體開關,其性能優于硅基MOSFET和IGBT。標準柵極驅動特性允許真正直接替代硅IGBTS和MOSFET,具有更優越的性能。超低柵極電荷和出色的反向恢復特性使它們非常適合開關感性負載和任何需要標準柵極驅動的應用。
關鍵特性
I D = 100A
RDS(ON) = 8.6mΩ
低柵極電荷
開爾文源
SOT 227B
好處
無熱失控的并聯裝置
更高的系統效率
出色的反向采收率
應用
高效率的轉換器和馬達驅動
電力供應
電池充電器
太陽能逆變器
感應加熱
相關產品推薦:
更多Solitron Devices SiC MOSFET相關產品信息可咨詢立維創展。
推薦資訊
FMCE-0328 EMI濾波器是一款專為28V應用設計的高性能電磁干擾濾波器,具有高衰減性(在500kHz下可達60dB),寬工作溫度范圍(-55°C至+125°C),以及寬輸入電壓范圍(-0.5至50V)。它支持5A額定工作電流,符合MIL-STD-461C、D、E和F標準,適用于軍事、航空等高可靠性應用,能有效降低輸入紋波電流,提升系統性能。
Linear Systems 設計和制造業內性能最高的單片雙 JFET 系列。這些組件是業內最大的雙 JFET 產品線,采用我們獨特的單片設計,將兩個器件編織在一個共同的基板上。這種方法在很寬的溫度范圍內提供盡可能高的匹配度和非常高的共模抑制比。我們的設計消除了復合雙 JFET 器件產生的寄生電容問題。
在線留言
主站蜘蛛池模板: 清水河县| 利川市| 海口市| 五原县| 永平县| 保山市| 万盛区| 湄潭县| 兴山县| 乌鲁木齐市| 积石山| 鄂州市| 凌云县| 珠海市| 集安市| 高要市| 应城市| 云和县| 平阴县| 永定县| 石狮市| 青阳县| 股票| 泰安市| 中超| 河曲县| 南部县| 瑞安市| 临桂县| 蒙自县| 科尔| 娱乐| 贵州省| 洛隆县| 民勤县| 怀集县| 弥渡县| 广灵县| 兴业县| 阿拉尔市| 河南省|