SD11705/SD11707碳化硅MOSFET Solitron Devices
發布時間:2023-12-27 09:58:19 瀏覽:2816
Solitron SD11705 和 SD11707 是兩款1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 器件,采用密封的 TO-258 封裝,專為最苛刻的工業、航空航天和國防應用而設計。工作溫度范圍為-55°C至175°C,兩款器件均提供50A的連續漏極電流。SD11705提供 RDS(開)為 32mΩ,而 SD11707 具有 RDS(開)16mΩ。也可根據要求提供 200°C 工作溫度。

與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關性能,并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗和反向充電顯著降低,因此效率水平高于硅,從而在接通和關斷階段產生更高的開關功率和更少的能量。結合高開關頻率,這意味著更小的磁性元件,大大減輕了系統的重量和尺寸。
密封封裝與高溫操作相結合,使SD11705和SD11707非常適合需要小尺寸、輕量和高效率的最堅固的電源和電機控制應用。
SD11705 和 SD11707 提供 COTS、TX、TXV 和空間級篩選。


關于SOLITRON DEVICES
Solitron Devices 總部位于美國佛羅里達州西棕櫚灘,為需要極致性能和可靠性的系統制造功率半導體和集成電源解決方案。航空航天、國防、工業和航天領域的客戶依靠Solitron的創新產品來開發更小、更輕、更高效的系統級電源解決方案。
推薦資訊
Vishay 109D系列濕式鉭電容器是面向工業、汽車和電信應用設計的高性能電容器,采用燒結陽極TANTALEX?技術,有軸向通孔引腳,提供標準錫/鉛(SnPb)和100%錫(符合RoHS標準)兩種端子選項,能在 -55°C至 +125°C寬溫度范圍穩定工作,還給出了應用領域及訂購指南 。
Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅固MOS結構,具有低介電損耗和高Q值,支持多種線焊點,A型外殼最少7個焊點,B型外殼最少15個焊點,且負載壽命穩定性出色。其關鍵優勢包括絕對容差低至±5%,溫度系數低至±50ppm/°C。應用領域廣泛,包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應用。電氣規格涵蓋電容范圍5-100pF,工作溫度-55至+150°C,最大工作電壓100V。機械規格方面,芯片基板為硅,介質為二氧化硅,頂部覆蓋層為至少1微米厚的金,外殼尺寸和焊盤數量符合特定要求。
在線留言
主站蜘蛛池模板: 青阳县| 南和县| 伊宁市| 姜堰市| 永清县| 潍坊市| 阜新市| 昭平县| 正安县| 正宁县| 康保县| 泾源县| 沙湾县| 东至县| 黄梅县| 焉耆| 汉源县| 晴隆县| 怀远县| 冷水江市| 吉林市| 丹巴县| 杭锦后旗| 拉萨市| 两当县| 富阳市| 昆山市| 宁乡县| 革吉县| 鹿邑县| 寿光市| 台北县| 台南市| 微博| 盘锦市| 平江县| 屏南县| 克东县| 四子王旗| 洛浦县| 丘北县|